1.光刻工艺
（1）集成电路制造历程复杂，光刻为其中要道一环
光刻（Lithography）是指在特定波长光泽的作用下，将诡计在掩膜版上的集成电路图形转动到硅片表 面的光刻胶上的技巧工艺。为了完成图形转动，需要履历千里积、旋转涂胶、软烘、瞄准与曝光、后烘、 显影、坚膜烘焙、显影检测等 8 说念工序，检测及格后不绝进行刻蚀、离子注入、去胶等法式，并视需要 肖似制程法式，开辟芯片的“摩天大楼”。
（2）光刻中枢性位：1/2 的时辰+1/3 的老本
跟着芯片技巧的发展，肖似法式数增多，先进芯片需要进行 20-30 次光刻，光刻工艺的耗时不错占到整 个晶圆制造时辰的 40%-50%，用度约占芯片出产老本的 1/3。
2.光刻机
（1）曝光设备期骗正常，光刻机频繁指用于芯片前说念工艺的光刻设备 泛半导体光刻技巧可分为直写光刻和掩模光刻，直写式光刻精度较低，多用于 IC 后说念封装、低世代线 平板显现、PCB 等范围；掩模光刻当今的主流体式为投影式，光刻精度高，可用于 IC 制造的前说念工艺、 后说念先进封装和中高世代线的 FPD 出产。
（2）光刻机单机价值量高，滋长千亿阛阓空间
2022 年寰宇晶圆前说念设备销售 941 亿好意思元，光刻机占 17%，是 IC 制造的第三大设备，但却是单机价值 量最大的设备。据 ASML 财报测算，2022 年单台 EUV 价钱约 1.8 亿欧元，浸没式 DUV 约 6500 万欧 元。
3.光刻机技巧发展历程
光刻机的技巧演进主要分为以下几个阶段。
1）UV 光刻机：用于 0.25 微米及以上制程节点，UV 为紫外光，光源类型包括 g-line、i-line 等。
2）干式 DUV 光刻机：可用于 65nm-0.35μm 制程节点，干式 DUV 是指在光刻过程中使用干式透镜和 深紫外线光源，该技巧在 20 世纪 90 年代初得到了正常期骗。
3）浸入式 DUV 光刻机：可用于 7nm-45nm 制程节点，跟着芯片制造技巧对先进制程的需求握续增多， 干式 DUV 光刻机已无法幽闲其精度条目。浸入式 DUV 光刻机通过把物镜与晶圆之间的填充由空气改动 为水，进而得回更高的数值孔径（NA），使光刻机具有更高的划分率与成像能力。
4）Low-NAEUV 光刻机：用于 3nm-7nm 制程节点，EUV 为极紫外光，该光源的波长较此前光源明
显减小，显耀进步光刻机的划分率。
5）High-NAEUV 光刻机：用于 3nm 以下制程节点，High-NA 是指高数值孔径（0.33→0.55），是下 一代光刻机技巧，将在已有 EUV 基础上进一步提高划分率与成像能力，从而杀青更先进制成的出产。
刻下该技巧由阿斯麦公司研发中，公司展望在 2025 年杀青出货。
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